半導体 P- 接合の発光原理を利用した最初の LED 光源は、1960 年代初頭に発明されました。当時使用されていた材料はGaAsPで、赤色光（λp=650nm）を発光しました。駆動電流が 20 mA の場合、光束はルーメンの数千分の 1 にすぎず、発光効率は約 0.1 ルーメン/ワットになります。
1970年代半ばに、InおよびN元素の導入により、LEDは緑色（λp=555nm）、黄色（λp=590nm）、オレンジ色（λp=610nm）の光を生成できるようになり、発光効率は1ルーメン/ワットまで改善されました。
1980 年代初頭には、GaAlAs LED 光源が登場し、赤色 LED が 10 ルーメン/ワットの発光効率を達成できるようになりました。
1990 年代初頭、2 つの新しい材料 -GaAlInP (赤色と黄色の光を放射) と GaInN (緑色と青色の光を放射)-の開発に成功し、LED の発光効率が大幅に向上しました。 2000年に、前者は赤とオレンジ領域（λp=615nm）で1ワットあたり100ルーメンの発光効率を持つLEDを製造し、後者は緑領域（λp=530nm）で1ワットあたり50ルーメンの発光効率を持つLEDを製造しました。
